access deny [128]

متن کامل خبر


 
جلسه دفاع از پایان‌نامه: الهام فرهمند، گروه مهندسی الکترونیک

خلاصه خبر:

  • عنوان: طراحی مخلوط‌کننده توزیع‌شده پهن باند در بازه فرکانسی Ku با تکنولوژی CMOS
  • ارائه‌کننده: الهام فرهمند
  • استاد راهنما: دکتر سعید سعیدی
  • استاد ناظر خارجی: دکتر محمود کمره‌ای (دانشگاه: تهران)
  • استاد ناظر داخلی: دکتر عبدالرضا نبوی
  • استاد مشاور:
  • مکان: دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، اتاق 710
  • تاریخ: 1394/11/25
  • ساعت: 17

چکیده
با افزایش تقاضا برای ارتباطات پرسرعت نیاز به افزایش پهنای باند اهمیت چشمگیری پیدا می‌کند. برای طراحی پهن باند بخش ابتدایی یک گیرنده، پهن باند بودن هر یک از المان‌ها امری ضروری است. یکی از مهم‌ترین المان‌ها در گیرنده مخلوط‌کننده است که عهده‌دار تبدیل فرکانسی است. برای افزایش پهنای باند مخلوط‌‌‌‌‌‌کننده می‌توان از ساختار توزیع‌شده با خطوط انتقال مصنوعی استفاده کرد. در این پایان‌نامه یک مخلوط‌کننده گیت دوتایی به‌صورت توزیع‌شده در چهار طبقه در بازه فرکانس رادیویی 20-2 گیگا هرتز طراحی شده است که باند Ku را نیز پوشش می‌دهد. هدف از انتخاب این مخلوط‌کننده، دستیابی به مخلوط‌کننده توزیع‌شده‌ای با کمترین تعداد سلف و بدون نیاز به سیگنال دیفرانسیلی RF و LO است. برای تولید سیگنال دیفرانسیلی به بالون پهن باند نیاز داریم که در داخل تراشه مساحت زیادی را اشغال می‌کند و باعث اتلاف بهره می‌شود. برای اولین بار در این طرح، مؤلفه مرتبه سوم ترارسانا یک مخلوط‌‌‌‌‌‌کننده توزیع‌‌‌‌‌‌شده با اعمال روش ترانزیستور چند گیته کاهش یافته که متوسط خطینگی را در طول بازه فرکانس ورودی به مقدار dBm61/5 افزایش می‌‌‌‌‌‌دهد. برای دست‌‌‌‌‌‌یابی به بیشترین بهره بایاس ترانزیستور‌‌‌‌‌‌های هسته مخلوط‌‌‌‌‌‌کننده توزیع‌‌‌‌‌‌شده با تحلیل سیستمی و مداری جامعی، به گونه‌‌‌‌‌‌ای انتخاب می‌‌‌‌‌‌شوند که مخلوط‌‌‌‌‌‌کننده توزیع‌‌‌‌‌‌شده در بازه فرکانس ورودی بهره 43/0- دسی‌بل با تغییرات 98/1± دسی‌بل را از خود نشان می‌‌‌‌‌‌دهد. مخلوط‌‌‌‌‌‌کننده بر خلاف نمونه‌‌‌‌‌‌های مشابه در تکنولوژی 180 نانو‌‌‌‌‌‌متر CMOS کمترین اتلاف بهره را دارد. در بازه فرکانسی 20-2 گیگاهرتز و با خطوط RF و LO تطبیق داده شده، متوسط عدد نویز برابر 42/14 دسی‌بل است. مدار پیشنهادی در منبع تغذیه 8/1 ولت توان mW55/20 را مصرف می‌کند. ایزولاسیون LO-RF بهتر از 25- دسی‌‌‌‌‌‌بل است. تمام شبیه‌سازی‌ها در پروسه nm CMOS180 صورت گرفته است.
کلمات کلیدیمخلوط‌کننده توزیع‌شده، خطینگی، مخلوط‌کننده گیت دوتایی

24 بهمن 1394 / تعداد نمایش : 1089