خلاصه خبر: طراحی، تحلیل و ساخت تقویت¬کننده توان مبتنی بر ترانزیستور LDMOS و تزریق هارمونیک.

• عنوان: طراحی، تحلیل و ساخت تقویت¬کننده توان مبتنی بر ترانزیستور LDMOS و تزریق هارمونیک.
• ارائه‌کننده: توحید کاردگر
• استاد راهنما: عبدالرضا نبوی
• استاد ناظر داخلی اول: دکتر سعید سعیدی
• استاد ناظر خارجی اول: دکتر صمد شیخائی (دانشگاه: دانشگاه تهران )
• مکان: سالن جلسات دانشکده برق
• تاریخ: 1397/08/09 :
• ساعت: 13:30

چکیده این پایان‌نامه به طراحی، تحلیل و ساخت تقویت‌کننده توان با تزریق هارمونیک دوم در ورودی به منظور افزایش توان خروجی و بازدهی پرداخته است. در ساختار پیشنهادی، تقویت‌کننده اصلی در کلاس AB کار می‌کند و تقویت کننده‌ای که در مسیر تزریق وجود دارد تا هارمونیک دوم را به تقویت‌کننده اصلی تزریق کند، در کلاس C کار می‌کند تا توان مصرفی کمتری داشته (تلفات کمتر) و مدار کلی بتواند بازدهی قابل قبولی داشته¬باشد. فرکانس کاری این تقویت‌کننده 1GHz می‌باشد. بازدهی توان افزوده این تقویت‌کننده 60% است که در نقطه فشردگی 1dB بدست آمده است و نسبت به حالت بدون تزریق در نقطه فشردگی خود % 17 بهبود داشته است. توان خروجی تقویت‌کننده در نقطه فشردگی با استفاده از تغذیه 28V، 8.5W می‌باشد که نسبت به حالت بدون تزریق، به¬اندازه 4.5W بهبود داشته¬است. P_1dB که معیاری برای خطینگی سیستم است، به¬اندازه 2dB نسبت به حالت بدون تزریق بهبود داشت.
کلمات کلیدی تزریق هارمونیک، بازده توان افزوده، خطینگی