متن کامل خبر


 
جلسه دفاع از پایان‏ نامه: رؤیا جعفرنژاد، گروه مهندسی الکترونیک

خلاصه خبر: تحلیل خطسانی و طراحی تقویت کننده کم نویز با استفاده از پیش اعوجاج در مدار تطبیق ورودی برای باند فرکانس X

  • عنوان: تحلیل خطسانی و طراحی تقویت کننده کم نویز با استفاده از پیش اعوجاج در مدار تطبیق ورودی برای باند فرکانس X
  • ارائه‌کننده: رؤیا جعفرنژاد
  • استاد راهنما: دکتر ابومسلم جان نثاری
  • استاد ناظر داخلی اول: دکتر عبدالرضا نبوی
  • استاد ناظر داخلی دوم: دکتر سعید سعیدی
  • استاد ناظر خارجی اول: : دکتر محمود کمره ای (دانشگاه تهران)، دکتر محمد یاوری (دانشگاه امیرکبیر)
  • استاد مشاور اول: دکتر جعفر صبحی
  • مکان: اتاق شورای دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر (طبقه 4، اتاق 711/6)
  • تاریخ: 27/6/96
  • ساعت: 18

چکیده:

طی سالهای اخیر با پیدایش کاربردهایی همچون فرستنده-گیرنده های چنداستاندارده و بسیار پهن باند خطی بودن تقویت کننده کم نویز از اهمیت خاصی برخوردار است. در رساله حاضر تکنیک پیش اعوجاج در ورودی برای بهبود خطسانی این بلوک معرفی شده است. تحلیلهای انجام شده نشان میدهد که با غیرخطسانی مدار تطبیق ورودی میتوان غیرخطسانی هدایت انتقالی مدار را جبران نموده و خطسانی تقویت کننده کم نویز را بهبود داد. علاوه بر این در سالهای اخیر کاهش توان مصرفی و کاهش سایز تراشه فرستنده گیرنده های بی سیم مخصوصاً با پیدایش کاربردهایی مانند شبکه های حسگر بیسیم، از چالشهای روز میباشد. ساختارهای مداری ارائه شده در این رساله به دو دسته تقسیم میشوند. دسته اول ساختارهایی که در آنها از تکنیک پیش اعوجاج برای طراحی تقویت کننده کم نویز با خطسانی بالا استفاده شده است. در این ساختارها ترانزیستور کمکی اضافه شده به منظور پیش اعوجاج، در مسیر فیدبکی استفاده شده است تا به این ترتیب در کنار خطسانی بالا بتوانیم عدد نویز کم و بهره بالایی نیز داشته باشیم. دسته دوم ساختارهایی که توان مصرفی بسیار پایینی دارند. در این ساختارها به منظور داشتن نویز کم و بهره بالا از تکنیک استفاده مجدد از جریان و فیدبک منفی استفاده نمودیم. ضمن اینکه توانستیم برخلاف ساختارهای کم توان چاپ شده اخیر به خطسانی نسبتاً بالایی برسیم. برای اثبات درستی ادعای خود، مدارات ارائه شده را از نظر پارامترهای مختلف طراحی تحلیل نموده و برای معتبر ساختن تحلیلهای مذبور، تمامی مدارات پیشنهادی را در تکنولوژی 0.18µm 1P6M TSMC RF-CMOS طراحی و با شبیه ساز Cadence Spectre RF شبیه سازی و نتایج شبیه سازی بعد از جانمایی را مورد ارزیابی قرار دادیم. تحلیلهای انجام شده نشان میدهند که ساختارهای با خطسانی بالای ارائه شده قابلیت رسیدن به عدد نویز کمتر و بهره بالاتر و ساختارهای توان پایین ارائه شده قابلیت رسیدن به خطسانی بسیار بالاتر از کارهای انجام شده کم توان قبلی دارند. نتایج شبیه سازی ارائه شده نیز درستی تحلیلهای انجام شده را نشان میدهند.
 

22 شهریور 1396 / تعداد نمایش : 34